Nelle linee di litografia, la fase di riscaldamento del fotorest non rappresenta semplicemente una “fase di avvio”. Si tratta invece di una fase termica fondamentale per garantire un controllo preciso dello spessore delle linee tracciate sul wafer. Una variazione di temperatura di 0,5°C può influenzare negativamente i parametri di trattamento; inoltre, zone troppo calde e non uniformi possono causare problemi durante le fasi di rimozione del fotorest e di etching. Abbiamo progettato il nostro sistema di riscaldamento ad alta temperatura proprio per affrontare queste situazioni: il wafer viene mantenuto alla temperatura desiderata su tutta la superficie, ore dopo ore, senza che si verifichino variazioni o addizioni di particelle.
Ciò che è importante dal punto di vista tecnico:
Utilizziamo un sistema di riscaldamento a onde infrarosse a breve lunghezza d’onda, abbinato a dispositivi a bassa massa termica. In questo modo, il wafer rimane uniformemente riscaldato entro un range di ±0,1°C. È possibile controllare la velocità di riscaldamento fino a 3°C/s, senza che si verifichino sbalzi termici, il che permette di proteggere i film sottili e di mantenere sotto controllo l’energia utilizzata. La pellicola utilizzata è progettata per essere stabile ad alte temperature e per permettere una separazione pulita del wafer. Inoltre, è stata verificata la sua capacità di non produrre alcuna particella in ambienti di classe 1–100. La ripetibilità del processo è di ±0,2°C, quindi il valore delle caratteristiche del wafer rimane costante anche quando si passa da una macchina all’altra.
Nelle linee di litografia, è necessario che i profili di riscaldamento siano coerenti, sia da un ciclo all’altro, sia da uno lotti all’altro, sia da una macchina all’altra. Il sistema di riscaldamento garantisce un contatto termico uniforme tra il wafer e la piastra riscaldata, riducendo così gli effetti di riflessione e di formazione di protuberanze ai bordi del wafer. I vantaggi si manifestano nella migliore uniformità delle caratteristiche del wafer, nella diminuzione dei riprocessi necessari dopo le fasi di sviluppo, e nella riduzione degli scarti dovuti ai film residui ai bordi del wafer.
Inoltre, si ottiene un vantaggio pratico in termini di tempo di funzionamento e consumo energetico: il riscaldamento a onde infrarosse coinvolge soltanto la zona interessata, riducendo così il consumo energetico. Inoltre, quando è necessario sostituire i materiali di consumo, il processo è semplice e prevedibile, riducendo le interruzioni impreviste.
C’è però da tenere presente che la chimica della pellicola utilizzata può essere sensibile a basi forti presenti in alcuni prodotti utilizzati per la rimozione del fotorest. È quindi necessario effettuare delle prove preliminari prima di aumentare la quantità di materiali utilizzati.
L’installazione del sistema dipende dalla geometria del supporto su cui viene posizionato il wafer e dall’emissività della sua superficie posteriore. Forniamo procedure di calibrazione per le piattaforme più comuni, al fine di assicurare un livello di uniformità di ±0,1°C fin dal primo giorno di utilizzo.