Üretim tesisinde, fotoresistin ısıtılması bir “ısınma işlemi” değildir. Bu, çizgi genişliğinin kontrol edilmesini sağlayan termal bir işlemdir. 0,5°C’lik bir değişiklik, dozaj aralığını değiştirebilir; düzgün olmayan ısı dağılımları ise eğik duvarlar oluşturur ve bu da daha sonraki işlemlerde sorunlara yol açar. Biz de bu durumu göz önünde bulundurarak yüksek sıcaklıkta çalışabilen bir termal bant sistemi geliştirdik: Wafer’ı tüm yüzeyi boyunca hedef sıcaklıkta tutmak mümkün; ayrıca saatlerce bu işlem uygulanabilir ve hiçbir parça veya değişkenlik oluşmaz.
Teknik olarak önemli olanlar:
Kısa dalga boylu kızılötesi ısıtma yöntemi ve düşük ısı iletkenliğine sahip bantlar kullanarak, wafer üzerindeki ısı dağılımını ±0,1°C içinde tutuyoruz. Isı artış hızını 3°C/saate kadar kontrol edebiliyoruz; bu sayede ince filmler korunmuş oluyor ve ısı yönetimi daha iyi sağlanıyor. Bant, yüksek sıcaklıklarda bile stabil kalacak şekilde formüle edilmiştir ve Class 1–100 ortamlarında hiçbir parça üretmediği doğrulanmıştır. Farklı makineler arasındaki tekrarlanabilirlik ise ±0,2°C civarındadır; böylece işlem sırasında herhangi bir değişiklik olmaz.
Litografide, her vardiya, her parti ve her makinede tekrarlanabilir ısıtma profillerine ihtiyaç vardır. Bu bant sistemi, wafer ile sıcak plaka arasındaki teması stabil hale getirir; bu da yansıma etkilerini ve kenar bozukluklarını azaltmaya yardımcı olur. Bunun sonucunda daha düzgün CD dağılımları, geliştirme işlemlerinden sonra daha az yeniden işleme gereksinimi ve kenarlardaki fazla filmlerden kaynaklanan atık miktarının azalması sağlanır.
Ayrıca, üretim süresi ve enerji tasarrufu açısından da avantajları vardır. Kızılötesi ısıtma yalnızca hedeflenen bölgeyi ısıttığı için enerji tüketimi azalır. Ayrıca, sarf malzemelerin değiştirilmesi de kolay ve öngörülebilir bir şekilde yapılır; böylece beklenmedik durumlar ve plansız duruşlar azalır.
Dikkat edilmesi gereken birkaç nokta var. Bant kimyasalları standart fotoresistler ve çözücülerle iyi uyum sağlar; ancak bazı temizleme kimyasallarına uzun süre maruz kalması durumunda hassaslaşabilir. Üretim kapasitesini artırmadan önce, ardışık işlemleri test ederek doğrulama yapmalısınız.
Montaj sürecinde ise chuck geometrisi ve wafer’in arka yüzeyinin ısı yayma özellikleri dikkate alınmalıdır. Her platform için kalibrasyon talimatları sağlıyoruz ki entegrasyon hızlanabilsin ve ilk günden itibaren ±0,1°C’lik bir düzenlilik sağlanabilsin.