IR on Infrared Heating Zone Solutions

Aluminiumreflektor für IR Lampe

Tue, 28 Jul 2026 05:07:00 +0800

Hören Sie auf, die Luft zu erhitzen: Warum Aluminiumreflektoren wirklich wichtig sind
Falls Sie weiterhin auf die Zirkulation heißer Luft setzen, warten Sie im Grunde darauf, dass die Konvektion die Arbeit übernimmt. Die Luft wird erhitzt, anschließend erreicht sie die zu erwärmenden Teile – und erst dann werden diese warm. Im Halbleiterherstellungsprozess ist diese Verzögerung fatal. Dadurch wird Zeit verschwendet, die wir einfach nicht haben.

Die Lösung? Verzichten Sie auf die langsamen Luftströme und nutzen Sie stattdessen Infrarotsysteme. Doch das Geheimnis liegt nicht nur in der Lampe selbst – sondern auch in den Aluminiumreflektoren.

Keramische Endkappe für Infrarotemitter

Mon, 20 Jul 2026 11:20:03 +0800

Wenn Sie einen Reinraum der Klasse 100 betreiben, wissen Sie bereits, dass Luftfilter nur die halbe Lösung sind. Das eigentliche Problem liegen in den Wärmequellen. Die meisten Standard-IR-Lampen sind eine Quelle für Kontaminationen – aufgrund der Klebstoffe sowie der metallischen Endkappen entstehen dabei Partikel oder Gase, gerade in denen Momenten, in denen alles rein bleiben muss. Wir haben eine bessere Lösung gefunden: Hochreines Quarzglas sowie spezielle keramische Endkappen.

Warum das wichtig ist
Bei den meisten Emittenten wird der Filament mit Metallklammern fixiert. Wenn die Temperatur hoch und runter geregelt wird, kann dieses Metall oxidieren oder abplatzen. Das ist nicht ideal, wenn man mit Wafern oder optischen Komponenten arbeitet. Wir haben das Metall durch hochwertige Keramik ersetzt. Keramik reagiert nicht mit der Luft und gibt keine Gase ab. Sie bleibt einfach dort, wo sie hingehört, und sorgt dafür, dass die Heizzone chemisch inaktiv bleibt – dadurch werden mikroskopische Verunreinigungen vermieden.

Präziser IR Sensor für Wafern

Mon, 13 Jul 2026 14:46:34 +0800

Hören Sie auf, Energie zu verschwenden: Eine bessere Methode zur Erwärmung der Siliziumwafers
Das Problem bei der Erwärmung von Siliziumwafers ist folgendes: Es wird viel Energie benötigt – doch der größte Teil dieser Energie geht in alle Richtungen, nur nicht dorthin, wo sie benötigt wird.
Standard-IR-Lampen strahlen Wärme in alle Richtungen ab. Das bedeutet, dass die Innenseite der Prozesskammer „gekocht“ wird. Das ist nicht nur eine Verschwendung von Energie, sondern macht auch das Gerät selbst zu einem riesigen Radiator. Für die Personen, die in der Nähe arbeiten, stellt das ein Sicherheitsrisiko dar.
Die Lösung ist einfach: Richtungsstarke IR-Strahlung.
Anstatt einfacher Quarztuben zu verwenden, die Wärme abgeben, nutzen wir Lampen mit speziellen Reflektoren und inneren Beschichtungen. Man kann sich das wie einen Schlauch vorstellen – durch den man die Infrarotstrahlung gezielt auf die Wafer lenkt. So wird die Energie direkt auf das Ziel gerichtet.
Die Wände der Vakuumkammer fungieren dann nicht mehr als „Schwämme“, die Wärme aufnehmen. Dadurch wird es für die Kühlsysteme viel einfacher. Wenn die Wände kühl bleiben, muss man sich keine Sorgen um thermische Ausdehnungen machen. Zudem können die Bediener während der Wartung die Außenflächen berühren, ohne Verbrennungen zu riskieren.
Und das Beste? Es entsteht ein viel präziserer Temperaturverlauf. Die störenden Temperaturunterschiede an den Rändern verschwinden – und das ist genau dort, wo bei der Herstellung von Schichttechnologien oft Probleme auftreten.
Aber Vorsicht!
Das ist keine „Wunderlösung“. Da die Wärme konzentriert wird, steigt die Flussdichte an der Oberfläche der Wafer an. Wenn der PID-Controller nicht richtig eingestellt ist, kann es zu Hotspots oder sogar zu thermischen Schocks kommen. Wenn man die Intensität der Strahlung zu schnell erhöht, könnte das Substrat sogar beschädigt werden.
Mein Rat: Nehmen Sie sich bei den ersten Testläufen etwas mehr Zeit. Überprüfen Sie sorgfältig den Fokuspunkt, damit die Energie tatsächlich im Zentrum der Wafer ankommt und nicht an den Rändern abgleitet. Wenn dieser Ausgleich stimmt, funktioniert alles andere auch.

Aushärten des Underfills für Halbleiter IR

Fri, 03 Jul 2026 08:41:44 +0800

Im Hintergrund sind Lücken im Unterfüllmaterial sowie Probleme mit der Formgebung des Unterfüllmaterials nicht nur kosmetische Mängel. Es handelt sich dabei um Defekte, die die Qualität des Produkts beeinträchtigen – sie führen zu elektrischen Störungen, mechanischer Belastung und Ausfällen im Betrieb. Wenn die IR-basierte Behandlung des Unterfüllmaterials keine einheitliche Temperaturverteilung auf allen Substraten, Verpackungen und Chargen gewährleisten kann, wird das Prozessfenster auf Null reduziert.

Was wirklich wichtig ist Wir gestalten den Behandlungsprozess so, dass ein kontrolliertes IR-Spektrum verwendet wird, um das Unterfüllmaterial schrittweise zu erhitzen – ohne dabei thermische Schocks zu verursachen. Die Temperaturgleichmäßigkeit in der Behandlungszone wird auf ±0,1 °C gehalten, damit jede Verpackung dieselben Bedingungen erhält. Kompatibilität mit Reinräumen ist ebenfalls entscheidend: Das System ist für Klassen 1–100 geeignet, wobei Materialien und Dichtungen so gewählt werden, dass keine Partikel entstehen.