http://ir-heat-zone.com/ms/tags/mengeringkan/ Recent content in Mengeringkan on Infrared Heating Zone Solutions Hugo ms Sat, 20 Jun 2026 05:44:41 +0800 http://ir-heat-zone.com/ms/posts/post-cmp-wafer-drying-heater/ Sat, 20 Jun 2026 05:44:41 +0800 http://ir-heat-zone.com/ms/posts/post-cmp-wafer-drying-heater/ <p><img src="http://ir-heat-zone.com/images/0ea7296bcdd661f341d1983d454c4037.png" alt="Pemanas untuk mengeringkan wafer selepas proses CMP"></p> <p>Di bilik pengeluaran, satu tanda air pun setelah proses CMP <a href="https://goldisgood.com">boleh</a> merosakkan die yang telah melalui proses pelinciran. Proses pengeringan wafer selepas CMP bukanlah sesuatu yang boleh diabaikan; ia merupakan langkah penting dalam proses pengeluaran.</p> <p>Pemanas yang digunakan harus mampu mencapai suhu yang seragam, tanpa adanya variasi suhu sebanyak ±0.1°C di seluruh permukaan wafer. Selain itu, pemanas tersebut juga perlu memastikan tiada zarah-zarah terbentuk semasa proses pengeringan. Kami merancang pemanas tersebut agar dapat mencapai tujuan tersebut: tiada pembentukan zarah, suhu yang seragam, dan kebolehulangan yang tinggi dari satu syif ke syif yang lain.</p> http://ir-heat-zone.com/ms/posts/infrared-vs-convection-for-wafer-drying/ Mon, 08 Jun 2026 05:05:01 +0800 http://ir-heat-zone.com/ms/posts/infrared-vs-convection-for-wafer-drying/ <p><img src="http://ir-heat-zone.com/images/eeeb9669114c0c0a0b2bef3f902d01a9.png" alt="Infrared vs Konveksi untuk pengeringan wafer"></p> <p>Di lantai pengilangan, satu mikron air yang tertinggal boleh merosakkan hasil. Ketuhar konveksi tidak mampu mengimbangi bajet terma dan disiplin partikel yang diperlukan oleh node lanjutan. Di sini, margin kesilapan sudah tiada.</p> <p><strong>Apa yang benar-benar penting di bawah hud</strong></p> <p>Pengeringan inframerah memindahkan haba terus ke lapisan air melalui pemindahan radiasi, <a href="https://henruite.com">tanpa</a> cuba memanaskan keseluruhan udara di dalam ruang. Ini membolehkan peningkatan suhu ke setpoint dalam masa kurang dari satu minit dan keseragaman tahap wafer dalam ±0.1°C—tepatan yang diperlukan untuk mengekalkan ketahanan fotoresist semasa soft bake dan hard bake.</p>