Mengapa Kaedah Pengeringan Wafer Memerlukan Reflektor yang Lebih Baik
Jika anda masih bergantung pada sistem pengudaraan panas untuk proses pemprosesan semikonduktor yang mendalam, anda pasti pernah merasa terganggu dengan masa menunggu yang lama. Saya maksudkan masa menunggu di mana anda hanya berdiri di situ, memandang ke arah ketuhar sambil menunggu suhu mencapai tahap yang sesuai.
Ini merupakan pembaziran masa. Dan dalam bisnes ini, masa merupakan segalanya.
Dengan menggunakan kaedah pemanasan inframerah (IR), segalanya akan berubah. Daripada memanaskan udara secara besar-besaran dan berharap udara tersebut akan memanaskan wafer, kaedah IR memanaskan permukaan wafer secara langsung. Tiada keperluan untuk menunggu angin bertiup.
Namun, ada satu syarat: IR hanya akan berfungsi dengan baik jika anda memiliki reflektor yang berkualiti tinggi. Tanpa lapisan emas atau aluminium yang berkualiti, separuh daripada tenaga yang digunakan akan terbuang begitu saja. Ini bukan sahaja tidak efisien, tetapi juga membazir wang. Reflektor yang direka dengan teliti akan menangkap tenaga tersebut dan mengarahkannya tepat ke tempat wafer berada.
Perbezaan kelajuan sangat ketara.
Kita bercakap tentang perbezaan dari beberapa saat hingga beberapa minit. Dengan menggunakan kaedah IR, masa yang diperlukan untuk proses pengeringan dapat dikurangkan sebanyak 40% hingga 70%. Selain itu, ruang yang diperlukan juga berkurangan. Anda tidak perlu lagi menggunakan alat peniup udara yang besar serta saluran paip yang rumit.
Tentu saja, ia bukanlah sesuatu yang mudah—hanya menukar kipas dengan lampu sahaja sudah cukup.
IR memerlukan reflektor yang tepat. Jika sudut reflektor tidak betul, akan timbul titik panas yang boleh menyebabkan wafer menjadi rosak atau tidak sekata. Ini tentunya merupakan masalah besar bagi kawalan kualiti.
Anda juga perlu memastikan beban haba dapat dikawal. Sistem IR yang berkuasa tinggi akan menghasilkan haba yang sangat tinggi. Jika sistem penyejukan tidak mampu menyejukkan elektronik tersebut, ia akan merosakkan komponen-komponen tersebut.
Itulah sebabnya kita perlu memberi perhatian yang serius terhadap geometri permukaan reflektor. Ia merupakan proses yang rumit, di mana kita perlu memastikan bahawa haba tersebar secara merata pada permukaan wafer. Tujuannya adalah untuk menyelesaikan tugas dengan cepat, namun dengan hasil yang sempurna.